آموزش رایگان سیلواکو Silvaco

کدنویسی ترانزیستور BJT در سیلواکو

کد نویسی در نرم افزار سیلواکو Silvaco

این مثال پردازش، مش بندی مجدد و تست الکتریکی یک ترانزیستور دوقطبی NPN امیتر پلی سیلیکونی را نشان می دهد. پارامترهای طراحی در نهایت از منحنی IV، از جمله fT و Gain استخراج می شوند.

این مثال استفاده از:

• شبیه سازی فرآیند یک دستگاه دوقطبی امیتر پلی سیلیکونی
• مش بندی مجدد ساختار در DevEdit
• رمپ DC Vbe با Vce ثابت
• شبیه سازی AC همزمان در طول رمپ Vbe
• استخراج پیک بهره و fT

فایل با تعریف جریان فرآیند برای یک ترانزیستور دوقطبی NPN در آتنا سیلواکو شروع می شود. اولین ایمپلنت بور ناحیه پایه ذاتی را تشکیل می دهد. دومین ایمپلنت بور با ناحیه امیتر پلی سیلیکون تنظیم می شود تا ارتباطی بین نواحی تماس پایه ذاتی و پایه p+ ایجاد کند. سازه‌های اسپیسر مانند در کنار امیتر پلی استفاده می‌شوند تا بین تماس پایه p+ فاصله داده شود و خود هم‌ترازی فراهم شود.

در طول شبیه سازی، از دستور relax برای کاهش تراکم مش در مناطق عمیق سازه استفاده می شود. فقط نیمی از دستگاه کامل شبیه سازی شده است. آینه کاری این نیم دستگاه به یک ساختار کامل با سمت چپ آینه سازه انجام می شود. مرحله نهایی نحو آتنا موقعیت های الکترود را مشخص می کند. در این مثال فقط از یک کنتاکت پایه استفاده شده است.

یک مثال بعدی توضیح می دهد که چگونه دو مخاطب پایه را می توان مشخص کرد و به هم مرتبط کرد. اغلب مشی که برای شبیه سازی فرآیند استفاده می شود برای استفاده در شبیه سازی دستگاه بهینه نیست.

در این مثال، ابزار تولید مش DevEdit برای ایجاد مجدد شبکه ای استفاده می شود که دارای مثلث های منفرد صفر در ناحیه نیمه هادی است. سپس به عنوان تابعی از تعدادی از مقادیر محلول روی مش تصفیه می شود (به عنوان مثال: conc بور).

پنجره های پاپ آپ زیر پنجره DeckBuild Command در سیلواکو برای ایجاد این مجموعه از دستورات برای کنترل DevEdit استفاده شد. برای تغییر به دستورات DevEdit، شبیه ساز فعلی DevEdit را از پنجره کنترل اصلی انتخاب کنید. استفاده بیشتر از DevEdit در برنامه های پیشرفته تر در مثال های بعدی نشان داده شده است.

در اطلس، روش حل با یک راه حل برای بایاس کلکتور 2 ولت شروع می شود. در مرحله بعد، از دستور log برای تعیین یک فایل برای جمع آوری داده های نمودار Gummel استفاده می شود. داده های Gummel با اعمال یک شیب بایاس روی الکترود پایه تا 0.9 جمع آوری می شود. پارامتر ac در دستور حل، تحلیل ac را روی آن تنظیم می کند.

فرکانس این سیگنال روی 1 مگاهرتز تنظیم شده است. پس از تکمیل رمپ بایاس، داده ها با استفاده از TonyPlot در سیلواکو رسم می شوند. در نهایت، دستور استخراج برای استخراج حداکثر بهره، “maxgain” و حداکثر ft، “maxft” برای BJT استفاده می شود. پارامترهای استخراج شده ممکن است به عنوان اهداف بهینه سازی برای تنظیم شبیه ساز استفاده شوند.

برای بارگیری و اجرای این مثال، دکمه Load را در DeckBuild > Examples انتخاب کنید. این فایل ورودی و هر فایل پشتیبانی را در فهرست کاری فعلی شما کپی می کند. برای اجرای مثال، دکمه Run را در DeckBuild نرم افزار سیلواکو انتخاب کنید.

” اگر در شبیه سازی سیلواکو دچار مشکل شده اید، حتما با متخصصین حامی پروژه تماس بگیرید”

بخش هایی از کد نویسی

implant boron energy=18 dose=2.5e13 diffuse time=60 temp=920 # deposit polysilicon deposit poly thick=0.3 divisions=6 min.space=0.05 # Implant to dope polysilicon implant arsenic dose=7.5e15 energy=50 # Pattern the poly etch poly right p1.x=0.2 relax y.min=.2 x.min=0.2 relax y.min=.2 x.min=0.2 method compress fermi diffuse time=25 temp=920 dryo2 diffuse time=50 temp=900 nitrogen

solve init # change to two carriers method newton autonr trap solve prev # set the collector bias solve vcollector=2 local # start ramping the base solve vbase=0.1 # Ramp the base to 0.9 volts…. log outf=bjtex01_2.log master solve vbase=0.2 vstep=0.05 vfinal=0.9 name=base ac freq=1e6 aname=base

برای دانلود کد مربوطه کلیک کنید.

جهت یادگیری کامل نرم افزار سیلواکو آموزش های رایگان ما را در سایت حامی پروژه دنبال نمایید. و در صورت مشکل در انجام پروژه های سیلواکو خود با متخصصین حامی پروژه در تماس باشید. برای ارتباط با تیم تخصصی سیلواکو حامی پروژه با شماره 09934702599 تماس حاصل نمایید.