شبیه سازی کنترل میدان الکتریکی برای بهبود ولتاژ شکست ترانزیستور در سیلواکو Silvaco

تومان800000

توضیحات

پروژه آماده نرم افزار سیلواکو Silvaco

شبیه سازی عددی اکسید فلزی ترانزیستورهای اثر میدان نیمه هادی:  کنترل میدان الکتریکی برای بهبود ولتاژ شکست در سیلواکو Silvaco

حامی پروژه با داشتن مجری های متخصص می تواند تمامی سفارشات مربوط به پروژه آماده سیلواکو را با بهترین کیفیت تحویل شما عزیزان نماید.

کنترل میدان الکتریکی برای بهبود ولتاژ شکست در سیلواکو

شبیه سازی عددی اکسید فلزی ترانزیستورهای اثر میدان نیمه هادی:  کنترل میدان الکتریکی برای بهبود ولتاژ شکست

چکیده مقاله میدان الکتریکی ترانزیستور در سیلواکو

In this paper, we propose a novel technique to control the electric field in Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor (LDMOS) Field Effect Transistors, in order to increase the breakdown voltage. The key idea in this work is increasing the smoothness of the electric field by extra oxide (EO) on the gate sidewall at the drain side of a deep gate structure. The EO region effects on the breakdown voltage by uniformity of the electric field profile. Our results show that the electric field will be maximally flatted by optimization of EO region .
Therefore, the proposed structure is called maximally flat deep gate LDMOS (MFDGLDMOS).
The novel features of MFDG-LDMOS are simulated and compared with a conventional LDMOS (C-LDMOS).
on-state resistance of the MFDG-LDMOS improve about 48% and 25% in comparison with Our results show that the breakdown voltage and  the C-LDMOS, respectively

در این مقاله، ما یک تکنیک جدید برای کنترل میدان الکتریکی در ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی منتشر شده جانبی (LDMOS) به منظور افزایش ولتاژ شکست در سیلواکو پیشنهاد می کنیم. ایده کلیدی در این کار افزایش صافی میدان الکتریکی توسط اکسید اضافی (EO) روی دیواره جانبی گیت در سمت سورس ساختار گیت عمیق است. ناحیه EO بر روی ولتاژ شکست با یکنواختی مشخصات میدان الکتریکی تأثیر می‌گذارد. نتایج ما در سیلواکو  نشان می‌دهد که میدان الکتریکی با بهینه‌سازی ناحیه EO به حداکثر می‌رسد. بنابراین، ساختار پیشنهادی LDMOS گیت عمیق حداکثر مسطح (MFDGLDMOS) نامیده می شود. ویژگی های جدید MFDG-LDMOS شبیه سازی شده و با یک LDMOS معمولی (C-LDMOS) مقایسه شده است. نتایج ما نشان می دهد که ولتاژ شکست و مقاومت در حالت MFDG-LDMOS در مقایسه با C-LDMOS به ترتیب حدود 48٪ و 25٪ بهبود می یابد.

مساله

شبیه سازی کنترل میدان الکتریکی در ترانزیستور برای دریافت فایل pdf مقاله کلیک کنید.

Numerical simulation of lateral diffused metal oxide semiconductor field effect transistors: A novel technique for electric field control to improve breakdown voltage

 

بخشی از کد نویسی کنترل میدان الکتریکی در ترانزیستور در سیلواکو به صورت زیر می باشد.

region num=1 x.min=0.0 x.max=0.3 y.min=0.0 y.max=0.2 material=silicon
region num=2 x.min=0.3 x.max=1.8 y.min=0.0 y.max=0.2 material=silicon
region num=3 x.min=0.9 x.max=1.8 y.min=0.0 y.max=0.05 material=nitride
region num=4 x.min=0.95 x.max=1.7 y.min=0.01 y.max=0.04 material=GaN
region num=5 x.min=1.8 x.max=2.6 y.min=0.0 y.max=0.2 material=silicon
region num=6 x.min=2.6 x.max=3.0 y.min=0.0 y.max=0.2 material=silicon

region num=7 x.min=0.0 x.max=3.0 y.min=0.2 y.max=0.6 material=sio2
region num=8 x.min=0.0 x.max=3.0 y.min=0.6 y.max=0.7 material=silicon

#

electrode num=1 name=source x.min=0 x.max=0.3 y.min=0 y.max=0
electrode num=2 name=drain x.min=2.6 x.max=3.0 y.min=0 y.max=0
electrode num=3 name=gate x.min=0.9 x.max=1.3 y.min=0 y.max=0
electrode name=substrate bottom

doping uniform conc=1e20 n.type reg=1
doping uniform conc=1e15 p.type reg=2

            

این پروژه کد نویسی همراه فیلم در سیلواکو می باشد.

کد30

آموزش سیلواکو

اگر به دنبال یادگیری تخصصی سیلواکو هستید حتما آموزش های رایگان سیلواکو سایت حامی پروژه را دنبال کنید

اگر پروژه مدنظر خود را پیدا نکردیم چه کنیم؟

جهت سفارش پروژه سیلواکو خود در حامی پروژه با شماره 09934702599 تماس بگیرید یا از طریق واتساپ و یا به ایدی تلگرام @hamiprojeh1 پیام دهید.

نحوه دریافت پروژه آماده :

جهت دریافت پروژه آماده سیلواکو آن را از طریق لینک خرید اقدام نمایید و بعداز پرداخت هزینه لینک دانلود را مشاهده نمایید.

درصورت خرابی لینک دانلود از طریق شماره 09934702599 میتوانید گزارش مشکل داده تا پروژه شما به راحتی از راه های دیگر توسط متخصصین برایتان ارسال شود.

 

 

شبیه سازی کنترل میدان الکتریکی برای بهبود ولتاژ شکست ترانزیستور در سیلواکو Silvaco
اسکرول