آموزش رایگان سیلواکو Silvaco
تاثیر لایه مانع و فاصله بر خواص ساختاری و الکتریکی AlGaN/GaN HEMT در نرم افزار silvaco
پارامترهای دستگاه و مدل های شبیه سازی در سیلواکو Silvaco
یک ساختار معمولی AlGaN/GaN HEMT برای شبیه سازی در سیلواکو انتخاب شده است همانطور که در شکل زیر نشان داده شده است و پارامترهای مربوطه آن در جدول زیر آورده شده است. یک دوپینگ ناخواسته 10^16 cm-3 در بافر و لایه مانع معرفی شده است. ساختار انتخاب شده با استفاده از ابزار شبیهسازی دستگاه TCAD Silvaco ATLAS شبیهسازی شده است و شبیهسازیها در سیلواکو با نتایج تجربی با استفاده از مدلهای مختلف دستگاه که به عنوان بخشی از ابزار شبیهسازی قابل دسترسی هستند، همسو میشوند.
برای دانلود مقاله AlGaN/GaN HEMT در سیلواکو کلیک نمایید:
Influence of barrier and spacer layer on structural and electrical properties of AlGaN/GaN HEMT
بخشی از شبیه سازی AlGaN/GaN HEMT در سیلواکو مشاهده می کنید.
جهت یادگیری کامل نرم افزار سیلواکو آموزش های رایگان ما را در سایت حامی پروژه دنبال نمایید. و در صورت مشکل در انجام پروژه های سیلواکو خود با متخصصین حامی پروژه در تماس باشید. برای ارتباط با تیم تخصصی سیلواکو حامی پروژه با شماره 09934702599 تماس حاصل نمایید.